N-kanals transistor, 75A, Andra, Andra, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 3,165.62kr | 3,957.03kr |
| 2 - 2 | 3,007.34kr | 3,759.18kr |
| 3 - 4 | 2,944.03kr | 3,680.04kr |
| 5 - 9 | 2,880.71kr | 3,600.89kr |
| 10 - 14 | 2,849.06kr | 3,561.33kr |
| 15 - 19 | 2,817.40kr | 3,521.75kr |
| 20+ | 2,785.75kr | 3,482.19kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 3,165.62kr | 3,957.03kr |
| 2 - 2 | 3,007.34kr | 3,759.18kr |
| 3 - 4 | 2,944.03kr | 3,680.04kr |
| 5 - 9 | 2,880.71kr | 3,600.89kr |
| 10 - 14 | 2,849.06kr | 3,561.33kr |
| 15 - 19 | 2,817.40kr | 3,521.75kr |
| 20+ | 2,785.75kr | 3,482.19kr |
N-kanals transistor, 75A, Andra, Andra, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. N-kanals transistor, 75A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 5300pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. obs: 6x IGBT+ CE Diode. Märkning på höljet: FS75R12KE3G. Antal terminaler: 35. Mått: 122x62x17.5mm. Pd (effektförlust, max): 355W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42us. Td(på): 26us. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt från tillverkaren Eupec/infineon. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 11:25.
Vi rekommenderar även :
Vi rekommenderar även :
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.