N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50

N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50. N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 19:25.