Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L

N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 22.14kr 27.68kr
5 - 9 21.03kr 26.29kr
10 - 24 19.93kr 24.91kr
25 - 45 18.82kr 23.53kr
Kvantitet U.P
1 - 4 22.14kr 27.68kr
5 - 9 21.03kr 26.29kr
10 - 24 19.93kr 24.91kr
25 - 45 18.82kr 23.53kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 45
Set med 1

N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L. N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 3.67A. C(tum): 220pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Funktion: Låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 02:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.