N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FQAF11N90C

N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FQAF11N90C. N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Resistans Rds På: 0.91 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. Kapsling (JEDEC-standard): 30. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQAF11N90C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 02:25.