N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	68.06kr	85.08kr
2 - 2	64.65kr	80.81kr
3 - 4	62.61kr	78.26kr
5 - 9	61.25kr	76.56kr
10 - 19	59.89kr	74.86kr
20 - 20	57.85kr	72.31kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	68.06kr	85.08kr
2 - 2	64.65kr	80.81kr
3 - 4	62.61kr	78.26kr
5 - 9	61.25kr	76.56kr
10 - 19	59.89kr	74.86kr
20 - 20	57.85kr	72.31kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 20

Set med 1

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3. N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 55pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Inductive?cooking. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3

Vi rekommenderar även :

Kylflänsar

Monteringstillbehör för transistorer

Termiskt fett

Vi rekommenderar även :