Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 91.61kr 114.51kr
2 - 2 87.03kr 108.79kr
3 - 4 85.20kr 106.50kr
5 - 9 82.45kr 103.06kr
10 - 19 80.62kr 100.78kr
20 - 29 77.87kr 97.34kr
30 - 39 75.12kr 93.90kr
Kvantitet U.P
1 - 1 91.61kr 114.51kr
2 - 2 87.03kr 108.79kr
3 - 4 85.20kr 106.50kr
5 - 9 82.45kr 103.06kr
10 - 19 80.62kr 100.78kr
20 - 29 77.87kr 97.34kr
30 - 39 75.12kr 93.90kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 39
Set med 1

N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: "Strömresonansväxelriktaromkoppling". Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 11:25.

Motsvarande produkter :

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.