N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 6m Ohms, PG-SOT223. Resistans Rds På: 6m Ohms. Hölje (enligt datablad): PG-SOT223. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 6.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -40...+150°C

N-kanals transistor, 0.065 Ohms, TO-220AC. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. Hölje: TO-220AC. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 33A. Effekt: 171W. Inbyggd diod: ja

N-kanals transistor, 0.018 Ohms, TO-247AC. Resistans Rds På: 0.018 Ohms. Hölje: TO-247AC. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 106A. Effekt: 446W. Inbyggd diod: ja

N-kanals transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): HexSense TO-220F-5. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 130pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 5. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 880pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, ultralågt på-motstånd. Id(imp): 330A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.11 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3210pF. Kostnad): 690pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Används för: -55...+175°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100A. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Vgs 20V. Pd (effektförlust, max): 170W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Ultralågt motstånd (Rds)

N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 41A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF1310NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F1310NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 24V. C(tum): 5790pF. Kostnad): 3440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 46 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 83 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 7360pF. Kostnad): 1680pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 71 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 40V, 202A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF1404PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 46 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5669pF. Maximal förlust Ptot [W]: 333W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.7M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 4340pF. Kostnad): 1030pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 36ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F1404S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 72 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7360pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.7M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 4340pF. Kostnad): 1030pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0046 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 5480pF. Kostnad): 1210pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 88 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 55V, 169A, 0.0053 Ohms, TO-220, 55V. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Resistans Rds På: 0.0053 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 55V. Tillverkarens märkning: IRF1405PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5480pF. Maximal förlust Ptot [W]: 330W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 169A. Effekt: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0037 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 4780pF. Kostnad): 770pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 600A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0078 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 5600pF. Kostnad): 890pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Diod tröskelspänning: 1.3V. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.0078 Ohms, TO-220, 75V. Resistans Rds På: 0.0078 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 75V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 130A. Effekt: 330W

N-kanals transistor, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.8M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 6450pF. Kostnad): 1690pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabbväxling, fordonsapplikationer. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.9M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 5110pF. Kostnad): 1190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabbväxling, fordonsapplikationer. Id(imp): 700A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 13m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 280A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75V, 82A, 0.013 Ohms, TO-220, 75V. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 75V. Tillverkarens märkning: IRF2807PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 49 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3820pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 82A. Effekt: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C