Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 19.75kr | 24.69kr |
5 - 9 | 18.76kr | 23.45kr |
10 - 24 | 18.17kr | 22.71kr |
25 - 49 | 17.77kr | 22.21kr |
50 - 99 | 17.38kr | 21.73kr |
100 - 120 | 15.61kr | 19.51kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 19.75kr | 24.69kr |
5 - 9 | 18.76kr | 23.45kr |
10 - 24 | 18.17kr | 22.71kr |
25 - 49 | 17.77kr | 22.21kr |
50 - 99 | 17.38kr | 21.73kr |
100 - 120 | 15.61kr | 19.51kr |
N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N. N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.