N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 98A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF3205PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3247pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3247pF. Kostnad): 781pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 390A. IDss (min): 25nA. Ekvivalenta: IRF3205SPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F3205S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3247pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 4.9m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3450pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 440A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 174 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 108A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 136W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 9.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0042 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 71 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 23m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3230pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 57A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF3710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3130pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3000pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F3710S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3130pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4.7M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 2980pF. Kostnad): 1770pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekvent isolerad DC-DC. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 440A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.0048 Ohm. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 2150pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekvent Synchronous Buck. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V

N-kanals transistor, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0059 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 5310pF. Kostnad): 890pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 93 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRF3808. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204A ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 81pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 5.6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF510PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 43W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 9.7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF520NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 9.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF520PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 670pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 88W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 920pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 93 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 9.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF530NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 920pF. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 100V, 0.16 Ohms, TO-220. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 14A. Effekt: 75W

N-kanals transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.077 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 560pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: 1.3k Ohms. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1960pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 115 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V