Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S

N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 23.01kr 28.76kr
5 - 9 21.86kr 27.33kr
10 - 24 20.71kr 25.89kr
25 - 49 19.56kr 24.45kr
50 - 99 19.10kr 23.88kr
100 - 115 17.26kr 21.58kr
Kvantitet U.P
1 - 4 23.01kr 28.76kr
5 - 9 21.86kr 27.33kr
10 - 24 20.71kr 25.89kr
25 - 49 19.56kr 24.45kr
50 - 99 19.10kr 23.88kr
100 - 115 17.26kr 21.58kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 115
Set med 1

N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S. N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3247pF. Kostnad): 781pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". Id(imp): 390A. IDss (min): 25nA. Ekvivalenta: IRF3205SPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.