Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 23.01kr | 28.76kr |
5 - 9 | 21.86kr | 27.33kr |
10 - 24 | 20.71kr | 25.89kr |
25 - 49 | 19.56kr | 24.45kr |
50 - 99 | 19.10kr | 23.88kr |
100 - 115 | 17.26kr | 21.58kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 23.01kr | 28.76kr |
5 - 9 | 21.86kr | 27.33kr |
10 - 24 | 20.71kr | 25.89kr |
25 - 49 | 19.56kr | 24.45kr |
50 - 99 | 19.10kr | 23.88kr |
100 - 115 | 17.26kr | 21.58kr |
N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S. N-kanals transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3247pF. Kostnad): 781pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". Id(imp): 390A. IDss (min): 25nA. Ekvivalenta: IRF3205SPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.