N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 8.1A. Resistans Rds På: 0.348 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 74W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 4 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1160pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 167 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF640NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F640NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 200V, 0.18 Ohms, TO-220. Drain-source spänning (Vds): 200V. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 18A. Effekt: 125W

N-kanals transistor, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 5.7A. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. obs: isometrisk. Pd (effektförlust, max): 42W. Teknik: DirectFET POWER MOSFET

N-kanals transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 170pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 6A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 36W. RoHS: ja. Td(av): 12 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 20V, 3.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7101. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 320pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 2. Funktion: 2xN-CH 50V. G-S Skydd: NINCS. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 50V, 3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7103. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, TO-220AB, 400V, 2A, 400V, 3.6 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Drain-source spänning (Vds): 400V. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 170pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2A

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7201. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 550pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 400V, 3.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF720PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 410pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 400V. RoHS: ja. C(tum): 700pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7301. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: 0.05R. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&N-HEXFET Power MOSFETFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7303. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 520pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7309. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 520/440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Kapsling (JEDEC-standard): 75W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF730PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 38 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: N MOSFET transistor. Ekvivalenta: IRF7313PBF. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7313. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7317. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12/22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 57/63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 900/780pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C