N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 65.35kr | 81.69kr |
| 2 - 2 | 62.08kr | 77.60kr |
| 3 - 4 | 60.12kr | 75.15kr |
| 5 - 9 | 58.81kr | 73.51kr |
| 10 - 19 | 57.51kr | 71.89kr |
| 20 - 29 | 55.55kr | 69.44kr |
| 30 - 340 | 53.58kr | 66.98kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 65.35kr | 81.69kr |
| 2 - 2 | 62.08kr | 77.60kr |
| 3 - 4 | 60.12kr | 75.15kr |
| 5 - 9 | 58.81kr | 73.51kr |
| 10 - 19 | 57.51kr | 71.89kr |
| 20 - 29 | 55.55kr | 69.44kr |
| 30 - 340 | 53.58kr | 66.98kr |
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF. N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F640NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Originalprodukt från tillverkaren Infineon. Antal i lager uppdaterad den 10/06/2025, 03:25.
Vi rekommenderar även :
Vi rekommenderar även :
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.