N-kanals transistor, TO-220AB, 400V, 2A, 400V, 3.6 Ohms - IRF710PBF

N-kanals transistor, TO-220AB, 400V, 2A, 400V, 3.6 Ohms - IRF710PBF. N-kanals transistor, TO-220AB, 400V, 2A, 400V, 3.6 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Drain-source spänning (Vds): 400V. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 170pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2A. Originalprodukt från tillverkaren Vishay (ir). Antal i lager uppdaterad den 10/06/2025, 03:25.