N-kanals transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730

N-kanals transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730. N-kanals transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 700pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Vishay. Antal i lager uppdaterad den 15/05/2025, 00:25.