N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, TO-220AB, 100V, 9.7A, 0.20 Ohms, 100V. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 100V. Tillverkarens märkning: IRF520NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 9.7A. Effekt: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 9.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF520PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

N-kanals transistor, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 670pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 88W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 920pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 93 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 9.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF530NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 920pF. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 0.16 Ohms, TO-220, 100V. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 100V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 14A. Effekt: 75W

N-kanals transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.077 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 560pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1960pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 115 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 100V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 33A. Effekt: 130W

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 33A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF540N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1960pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRF540NSPBF. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 44 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F540NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1960pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F540NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1960pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 28A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF540PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 53 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Resistans Rds På: 21 milliOhms. C(tum): 1770pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 92W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Ultralågt på-motstånd, <0,021 ohm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 36W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 3.3A. Resistans Rds På: 1.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: VGS @10V. Pd (effektförlust, max): 38W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Kapsling (JEDEC-standard): 36W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF610PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 11 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 140pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 260pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 5.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF620PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 260pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): 50. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 200V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF630. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: MESH OVERLAY MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 36A. Pd (effektförlust, max): 72W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: N-Channel MOSFET. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF630N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 27 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 575pF. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF630PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C