N-kanals transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

N-kanals transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. N-kanals transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. RoHS: ja. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: MESH OVERLAY MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(tum): 540pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högströmsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 12:25.