N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 3.3A - IRF610PBF

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 3.3A - IRF610PBF. N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 3.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF610PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 11 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 140pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Vishay. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 11:25.