N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 33 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. C(tum): 360pF. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 500V, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF820PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 33 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

N-kanals transistor, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 610pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 320 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 74W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 620 ns. Kostnad): 93 ns. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (effektförlust, max): 74W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Kapsling (JEDEC-standard): 74W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF830PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 610pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1018pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 422 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 500V, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF840APBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1018pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1018pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 422 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF840ASPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1018pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 500V. Tillverkarens märkning: IRF840PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 49 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 8A. Effekt: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF840SPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 49 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 760pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: IRF8707G. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 7.3 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 18A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F8736. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.35V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 13 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2315pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 24A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F8788. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.35V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5720pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F9952. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190/190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F9952Q. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190/190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.52 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1423pF. Kostnad): 208pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2830pF. Kostnad): 3310pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 68A. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2870pF. Kostnad): 3480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 80A. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 92A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: B23N15D. Pd (effektförlust, max): 136W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4220pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB260N. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0021 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 8970pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 44 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 375W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 118 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0028 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 9400pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 850A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 370W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 69 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 6540pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS