N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRFB3207Z

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	39.86kr	49.83kr
5 - 9	37.87kr	47.34kr
10 - 24	35.87kr	44.84kr
25 - 49	33.88kr	42.35kr
50 - 64	33.08kr	41.35kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	39.86kr	49.83kr
5 - 9	37.87kr	47.34kr
10 - 24	35.87kr	44.84kr
25 - 49	33.88kr	42.35kr
50 - 64	33.08kr	41.35kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 64

Set med 1

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRFB3207Z. N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: FB3207. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 21:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!