Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5642
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
922
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer
N-kanals FET och MOSFET

N-kanals FET och MOSFET

1204 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
1...212223 2425...49
Antal i lager : 53
IRFB3207

IRFB3207

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k...
IRFB3207
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB3207
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
66.15kr moms incl.
(52.92kr exkl. moms)
66.15kr
Antal i lager : 64
IRFB3207Z

IRFB3207Z

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k...
IRFB3207Z
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: FB3207. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB3207Z
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: FB3207. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
49.83kr moms incl.
(39.86kr exkl. moms)
49.83kr
Antal i lager : 60
IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T...
IRFB3306PBF
N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 4520pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 31 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 620A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB3306PBF
N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 4520pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 31 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 620A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
31.14kr moms incl.
(24.91kr exkl. moms)
31.14kr
Antal i lager : 93
IRFB3307Z

IRFB3307Z

N-kanals transistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=...
IRFB3307Z
N-kanals transistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0046 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 4750pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 512A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB3307Z
N-kanals transistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0046 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 4750pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 512A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
39.51kr moms incl.
(31.61kr exkl. moms)
39.51kr
Antal i lager : 163
IRFB3607

IRFB3607

N-kanals transistor, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25...
IRFB3607
N-kanals transistor, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 310A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. C(tum): 3070pF. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB3607
N-kanals transistor, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 310A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. C(tum): 3070pF. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
19.81kr moms incl.
(15.85kr exkl. moms)
19.81kr
Antal i lager : 132
IRFB4019

IRFB4019

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25...
IRFB4019
N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 800pF. Kostnad): 74pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 51A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
IRFB4019
N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 800pF. Kostnad): 74pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 51A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
31.08kr moms incl.
(24.86kr exkl. moms)
31.08kr
Antal i lager : 59
IRFB4020

IRFB4020

N-kanals transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25...
IRFB4020
N-kanals transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 91pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 52A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 7.8 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB4020
N-kanals transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 91pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 52A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 7.8 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
31.11kr moms incl.
(24.89kr exkl. moms)
31.11kr
Antal i lager : 184
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A...
IRFB4110PBF
N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 9620pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 370W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 78 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB4110PBF
N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 9620pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 370W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 78 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
29.06kr moms incl.
(23.25kr exkl. moms)
29.06kr
Antal i lager : 98
IRFB4115

IRFB4115

N-kanals transistor, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. ID (T=100°C): 74A. ID (...
IRFB4115
N-kanals transistor, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Resistans Rds På: 0.0093 Ohms. Kostnad): 490pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 86 ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 41 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. C(tum): 5270pF. Id(imp): 420A. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB4115
N-kanals transistor, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Resistans Rds På: 0.0093 Ohms. Kostnad): 490pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 86 ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 41 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. C(tum): 5270pF. Id(imp): 420A. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
95.55kr moms incl.
(76.44kr exkl. moms)
95.55kr
Antal i lager : 72
IRFB4227

IRFB4227

N-kanals transistor, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25...
IRFB4227
N-kanals transistor, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 19.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4600pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB4227
N-kanals transistor, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 19.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4600pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
55.95kr moms incl.
(44.76kr exkl. moms)
55.95kr
Antal i lager : 40
IRFB4228

IRFB4228

N-kanals transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°...
IRFB4228
N-kanals transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 4530pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 330A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
IRFB4228
N-kanals transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 4530pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 330A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
73.89kr moms incl.
(59.11kr exkl. moms)
73.89kr
Antal i lager : 99
IRFB4229

IRFB4229

N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°...
IRFB4229
N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 38m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
IRFB4229
N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 38m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
91.73kr moms incl.
(73.38kr exkl. moms)
91.73kr
Antal i lager : 20
IRFB42N20D

IRFB42N20D

N-kanals transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=...
IRFB42N20D
N-kanals transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 3430pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB42N20D. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS
IRFB42N20D
N-kanals transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 3430pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB42N20D. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
65.65kr moms incl.
(52.52kr exkl. moms)
65.65kr
Antal i lager : 79
IRFB42N20DPBF

IRFB42N20DPBF

N-kanals transistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=...
IRFB42N20DPBF
N-kanals transistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.072 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 4820pF. Kostnad): 340pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 390A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4410ZPBF. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB42N20DPBF
N-kanals transistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.072 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 4820pF. Kostnad): 340pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 390A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4410ZPBF. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
50.59kr moms incl.
(40.47kr exkl. moms)
50.59kr
Antal i lager : 157
IRFB4310PBF

IRFB4310PBF

N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=...
IRFB4310PBF
N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 7670pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4310. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB4310PBF
N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 7670pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4310. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
67.54kr moms incl.
(54.03kr exkl. moms)
67.54kr
Antal i lager : 58
IRFB4710

IRFB4710

N-kanals transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=...
IRFB4710
N-kanals transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6160pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 74 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FB4710. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S Skydd: NINCS
IRFB4710
N-kanals transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6160pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 74 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FB4710. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
63.71kr moms incl.
(50.97kr exkl. moms)
63.71kr
Antal i lager : 141
IRFB4710PBF

IRFB4710PBF

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drai...
IRFB4710PBF
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFB4710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
IRFB4710PBF
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFB4710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
Set med 1
57.15kr moms incl.
(45.72kr exkl. moms)
57.15kr
Antal i lager : 37
IRFB52N15D

IRFB52N15D

N-kanals transistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=...
IRFB52N15D
N-kanals transistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2770pF. Kostnad): 590pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB52N15D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare, plasmaskärm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB52N15D
N-kanals transistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2770pF. Kostnad): 590pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB52N15D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare, plasmaskärm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
55.79kr moms incl.
(44.63kr exkl. moms)
55.79kr
Antal i lager : 10
IRFB5615PBF

IRFB5615PBF

N-kanals transistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=...
IRFB5615PBF
N-kanals transistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1750pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för klass-D ljudförstärkarapplikationer. Id(imp): 140A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB5615PbF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 144W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17.2ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS
IRFB5615PBF
N-kanals transistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1750pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för klass-D ljudförstärkarapplikationer. Id(imp): 140A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB5615PbF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 144W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17.2ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
48.61kr moms incl.
(38.89kr exkl. moms)
48.61kr
Antal i lager : 101
IRFB7437

IRFB7437

N-kanals transistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T...
IRFB7437
N-kanals transistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 1.5M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 78 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(tum): 7330pF. Kostnad): 1095pF. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB7437
N-kanals transistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 1.5M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 78 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(tum): 7330pF. Kostnad): 1095pF. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
30.86kr moms incl.
(24.69kr exkl. moms)
30.86kr
Antal i lager : 9
IRFB7437PBF

IRFB7437PBF

N-kanals transistor, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0015 Ohms. Hölje: TO-220AB. D...
IRFB7437PBF
N-kanals transistor, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0015 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 250A/195A. Effekt: 230W
IRFB7437PBF
N-kanals transistor, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0015 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 250A/195A. Effekt: 230W
Set med 1
40.64kr moms incl.
(32.51kr exkl. moms)
40.64kr
Antal i lager : 62
IRFB7440PBF

IRFB7440PBF

N-kanals transistor, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.002 Ohms. Hölje: TO-220AB. Dra...
IRFB7440PBF
N-kanals transistor, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.002 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 172A/120A. Effekt: 143W
IRFB7440PBF
N-kanals transistor, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.002 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 172A/120A. Effekt: 143W
Set med 1
24.91kr moms incl.
(19.93kr exkl. moms)
24.91kr
Antal i lager : 62
IRFB7444PBF

IRFB7444PBF

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k O...
IRFB7444PBF
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 4730pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 143W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRFB7444PBF
N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 4730pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 143W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
24.18kr moms incl.
(19.34kr exkl. moms)
24.18kr
Antal i lager : 39
IRFB7446PBF

IRFB7446PBF

N-kanals transistor, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0026 Ohms. Hölje: TO-220AB. D...
IRFB7446PBF
N-kanals transistor, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0026 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 123A/120A. Effekt: 99W
IRFB7446PBF
N-kanals transistor, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.0026 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 123A/120A. Effekt: 99W
Set med 1
24.26kr moms incl.
(19.41kr exkl. moms)
24.26kr
Antal i lager : 130
IRFB9N60A

IRFB9N60A

N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (...
IRFB9N60A
N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS
IRFB9N60A
N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
48.29kr moms incl.
(38.63kr exkl. moms)
48.29kr
1...212223 2425...49

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.