N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 650V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Pd (effektförlust, max): 167W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, 4.4 Ohms, TO-220, 600V. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 600V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2.2A. Effekt: 50W

N-kanals transistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 2.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 660pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 510pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 74W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 9.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 600V, 6.2A, 1.2 Ohms, TO-220, 600V. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 600V. Tillverkarens märkning: IRFBC40PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 6.2A. Effekt: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 16A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 82 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 800V, 4.1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFBE30PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 82 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 8 Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 490pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 54W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 56 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 900V, 3.6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFBF30PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 980pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 89 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFBG30PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 89 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 980pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 310pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.2, DIP-4, 60V. Resistans Rds På: 0.2. Hölje: DIP-4. Drain-source spänning (Vds): 60V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 1.7A

N-kanals transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 640pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 88 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (Drain to Source Voltage): 60V. Hölje: DIP4. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 2.5A. Port-/källspänning Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 81pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Kapsling (JEDEC-standard): DIP-4. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD110PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.9ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, DIP4, 100V, 1.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD120PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 18 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

N-kanals transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V. RoHS: ja. C(tum): 22pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220AB, 55V, 64A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI3205PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 63W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220 FULLPAK. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 29A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 37W. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja