N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 400pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 35 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 11.2A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRFL024NPBF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 22.2 ns. Td(på): 8.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL024N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL110. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.9ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 7.7A. IDss (min): 25uA. obs: screentryck/SMD-kod FC. Märkning på höljet: FC. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FC. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 14 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 140pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 55V. RoHS: ja. C(tum): 660pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL4310. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP044N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET

N-kanals transistor, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.018 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 1300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 8.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 620pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 94 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 4500pF. Kostnad): 2000pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 83 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.012 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2900pF. Kostnad): 880pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 81 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 4000pF. Kostnad): 1300pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP064NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 60V, 70A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP064PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 21 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.077 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. obs: komplementär transistor (par) IRFP9140. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 180W. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0042 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 5600pF. Kostnad): 1310pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Td(av): 140 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 310W. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Resistans Rds På: 0.51 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Pd (effektförlust, max): 131W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET

N-kanals transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 140W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFP150. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 100V, 42A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP150NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 100V, 42A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP150PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3450pF. Kostnad): 513pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 88A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 277W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) IRFP9240. Vikt: 4.6g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V