Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP250N

N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms,  TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP250N
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 42.75kr 53.44kr
5 - 9 40.62kr 50.78kr
10 - 24 38.48kr 48.10kr
25 - 49 36.34kr 45.43kr
50 - 99 35.49kr 44.36kr
100 - 143 32.87kr 41.09kr
Kvantitet U.P
1 - 4 42.75kr 53.44kr
5 - 9 40.62kr 50.78kr
10 - 24 38.48kr 48.10kr
25 - 49 36.34kr 45.43kr
50 - 99 35.49kr 44.36kr
100 - 143 32.87kr 41.09kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 143
Set med 1

N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP250N. N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 2159pF. Kostnad): 315pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 186 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 23/04/2025, 00:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.