N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 200V, 46A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP260PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 5400pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: snabb växling, dynamisk dv/dt. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4660pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.6m Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 13000pF. Kostnad): 2100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 470W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 75V, 90A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP2907PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 13000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 470W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 75V, 90A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP2907ZPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 97 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 310W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.1M Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. C(tum): 8970pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 375W. RoHS: ja. Vikt: 4.58g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 118 ns. Td(på): 16 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 5000pF. Kostnad): 553pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 124A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 460W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 6540pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 150V, 43A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP3415PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 72 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 2600pF. Kostnad): 660pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 190W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 87 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 400V, 19A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP350PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 87 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 4500pF. Kostnad): 1100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 3400pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 400V, 23A, 0.20 Ohms, TO-247AC HV, 400V. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-247AC HV. Drain-source spänning (Vds): 400V. Tillverkarens märkning: IRFP360PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 23A. Effekt: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3000pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 51A. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: FastSwitch. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Kapsling (JEDEC-standard): 180W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP3710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.021 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4600pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Vikt: 5.8g. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.049 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 7370pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. IDss (min): 5uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 430W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.029 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 5860pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 230A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power-MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 100V, 195A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP4468PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 52 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 520W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2600pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 540 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92us. Td(på): 17us. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 580us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS