N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 4200pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. RoHS: ja. C(tum): 3100pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3940pF. Kostnad): 152pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 437ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 62A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 278W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 117 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: D Series Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3600pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabb växling, ultralåg grindladdning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 20A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP460LCPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 500V, 20A, 500V, TOP-3 (TO-247). Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drain-source spänning (Vds): 500V. Hölje: TOP-3 (TO-247). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP460PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 250W

N-kanals transistor, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 130A. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 520A. Pd (effektförlust, max): 520W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (max): 72A. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6160pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 0.1uA. obs: Hög frekvens. Pd (effektförlust, max): 190W. Td(av): 41 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V

N-kanals transistor, TO-247AC, 100V, 72A, 100V, 0.014 Ohms. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Tillverkarens märkning: IRFP4710PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 72A. Effekt: 190W

N-kanals transistor, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1070pF. Kostnad): 6040pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 580W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Kapsling (JEDEC-standard): 580W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP90N20DPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 580W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.58 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 25uA-. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 33 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 600V, 11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPC50PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 88 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 3900pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 64A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabbväxling, ORION TV. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 800V, 5.4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPE40PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 3100pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 31A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 800V, 1.2 Ohms, TO-247AC HV. Drain-source spänning (Vds): 800V. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-247AC HV. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 7.8A. Effekt: 190W

N-kanals transistor, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 4.7A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: <63/214ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS L

N-kanals transistor, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2900pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 27A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AC, 900V, 6.7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPF50PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-kanals transistor, 1000V, 2 Ohms, TO-247AC. Drain-source spänning (Vds): 1000V. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-247AC. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 6.1A. Effekt: 190W

N-kanals transistor, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: 17.4k Ohms. Hölje (enligt datablad): SUPER247. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 5579pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 144A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V