N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 24A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, TO-247AC, 2 Ohms, 1000V. Hölje: TO-247AC. Resistans Rds På: 2 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 1000V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 6.1A. Effekt: 190W

N-kanals transistor, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: 17.4k Ohms. Hölje (enligt datablad): SUPER247. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 5579pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 144A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 17.4k Ohms. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPS37N50APBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5580pF. Maximal förlust Ptot [W]: 446W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 370pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 4.9 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR024N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR024N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 17A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFR110PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.9ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.027 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 410pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 65 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 107W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 47 ns. Td(på): 7.3 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+155°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR1205. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR1205N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR220N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 43W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 3.1A. Resistans Rds På: 1.8 Ohms. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 400V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 42W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET

N-kanals transistor, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2030pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 43 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 5.2m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2330pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, ultralåg grindimpedans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.115 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 640pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 37 ns. Td(på): 6.4 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 27A. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 55V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 350pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFRC20PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 500pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 137 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: Advanced Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Pd (effektförlust, max): 38W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET. Funktion: Låg grindladdning (typisk 22nC), Låg Crss

N-kanals transistor, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5.8A. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET

N-kanals transistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 178pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 40A. IDss (min): 250uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS