Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 9.20kr 11.50kr
5 - 9 8.74kr 10.93kr
10 - 24 8.46kr 10.58kr
25 - 49 8.28kr 10.35kr
50 - 99 8.09kr 10.11kr
100 - 120 7.82kr 9.78kr
Kvantitet U.P
1 - 4 9.20kr 11.50kr
5 - 9 8.74kr 10.93kr
10 - 24 8.46kr 10.58kr
25 - 49 8.28kr 10.35kr
50 - 99 8.09kr 10.11kr
100 - 120 7.82kr 9.78kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 120
Set med 1

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110. N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 17A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 10/06/2025, 03:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.