Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 9.20kr | 11.50kr |
5 - 9 | 8.74kr | 10.93kr |
10 - 24 | 8.28kr | 10.35kr |
25 - 49 | 7.82kr | 9.78kr |
50 - 99 | 7.63kr | 9.54kr |
100 - 120 | 7.45kr | 9.31kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 9.20kr | 11.50kr |
5 - 9 | 8.74kr | 10.93kr |
10 - 24 | 8.28kr | 10.35kr |
25 - 49 | 7.82kr | 9.78kr |
50 - 99 | 7.63kr | 9.54kr |
100 - 120 | 7.45kr | 9.31kr |
N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110. N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 17A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.