Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 11.66kr | 14.58kr |
5 - 9 | 11.08kr | 13.85kr |
10 - 24 | 10.50kr | 13.13kr |
25 - 49 | 9.91kr | 12.39kr |
50 - 99 | 9.68kr | 12.10kr |
100 - 107 | 8.48kr | 10.60kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 11.66kr | 14.58kr |
5 - 9 | 11.08kr | 13.85kr |
10 - 24 | 10.50kr | 13.13kr |
25 - 49 | 9.91kr | 12.39kr |
50 - 99 | 9.68kr | 12.10kr |
100 - 107 | 8.48kr | 10.60kr |
N-kanals transistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR3910. N-kanals transistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.115 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 640pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 37 ns. Td(på): 6.4 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.