N-kanals transistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V - IRFS740

N-kanals transistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V - IRFS740. N-kanals transistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 178pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 250uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Samsung. Antal i lager uppdaterad den 10/06/2025, 03:25.