N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 370pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.7 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling

N-kanals transistor, PCB-lödning, I-PAK, 60V, 14A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: I-PAK. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFU024NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 17A. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET® Power MOSFET

N-kanals transistor, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 360pF. Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-251AA, 500V, 2.4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFU420PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 33 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-251AA, 200V, 24A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFU4620PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1710pF. Maximal förlust Ptot [W]: 144W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 350pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 370pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.9 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ24NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZ24NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 700pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 57 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 100A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 31 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ34NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 31 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0175 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 94W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ44NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 17.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 94W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZ44NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 94W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1812pF. Kostnad): 393pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 60V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 55A. Effekt: 115W

N-kanals transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 107W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 50V, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ46NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1696pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 68 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 34 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, TO-220AB, 55V, 64A, 0.014 Ohms, 55V. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 55V. Tillverkarens märkning: IRFZ48NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1970pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 64A. Effekt: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Funktion: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.59V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS