N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-251AA, 200V, 24A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFU4620PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1710pF. Maximal förlust Ptot [W]: 144W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 350pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 370pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.9 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 55V, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: TO220AB. Serie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 17A. Körspänning: 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Pd (effektförlust, max): 45W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZ24NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 700pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 57 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 31 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ34NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 31 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0175 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 94W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 55V, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: TO220AB. Serie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 49A. Körspänning: 10V. Rds on (max) @ id, vgs: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Pd (effektförlust, max): 94W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 17.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 94W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZ44NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 94W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1812pF. Kostnad): 393pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 60V, 0.016 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 55A. Effekt: 115W

N-kanals transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 107W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 55V, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: TO220AB. Serie: IRFZ. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 53A. Körspänning: 10V. Rds on (max) @ id, vgs: 16.5m Ohms / 28A / 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Pd (effektförlust, max): 107W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 68 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 34 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 55V, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: TO220AB. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 64A. Körspänning: 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Pd (effektförlust, max): 130W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.59V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4BC30UD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 920pF. Kostnad): 110pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 28A. Ic(puls): 58A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Ultrasnabb IGBT-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 60 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.21V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4PC30UD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. C(tum): 2200pF. Kostnad): 140pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 49A. Ic(puls): 84A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 63 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: G4PC40K. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V