Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5642
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
921
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer
N-kanals FET och MOSFET

N-kanals FET och MOSFET

1204 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
1...293031 3233...49
Antal i lager : 84
IRG4BC30UD

IRG4BC30UD

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (en...
IRG4BC30UD
N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4BC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4BC30UD
N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4BC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
102.29kr moms incl.
(81.83kr exkl. moms)
102.29kr
Antal i lager : 31
IRG4BC30W

IRG4BC30W

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt ...
IRG4BC30W
N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4BC30W
N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
69.54kr moms incl.
(55.63kr exkl. moms)
69.54kr
Antal i lager : 16
IRG4PC30KD

IRG4PC30KD

N-kanals transistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC30KD
N-kanals transistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 920pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 28A. Ic(puls): 58A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 60 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.21V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrasnabb IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4PC30KD
N-kanals transistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 920pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 28A. Ic(puls): 58A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 60 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.21V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrasnabb IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
60.38kr moms incl.
(48.30kr exkl. moms)
60.38kr
Antal i lager : 50
IRG4PC30UD

IRG4PC30UD

N-kanals transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Hölje: TO-247. Hölje ...
IRG4PC30UD
N-kanals transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4PC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4PC30UD
N-kanals transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG4PC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
120.64kr moms incl.
(96.51kr exkl. moms)
120.64kr
Antal i lager : 85
IRG4PC40FDPBF

IRG4PC40FDPBF

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC40FDPBF
N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: Genomgående hålmontering på kretskort. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 49A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: 230 ns. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 63 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4PC40FDPBF
N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: Genomgående hålmontering på kretskort. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 49A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: 230 ns. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 63 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
112.11kr moms incl.
(89.69kr exkl. moms)
112.11kr
Antal i lager : 75
IRG4PC40K

IRG4PC40K

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC40K
N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: G4PC40K. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PC40K
N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: G4PC40K. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
89.11kr moms incl.
(71.29kr exkl. moms)
89.11kr
Antal i lager : 51
IRG4PC40KD

IRG4PC40KD

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC40KD
N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 53 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4PC40KD
N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 53 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
89.25kr moms incl.
(71.40kr exkl. moms)
89.25kr
Antal i lager : 3
IRG4PC40U

IRG4PC40U

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC40U
N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.72V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PC40U
N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.72V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
91.46kr moms incl.
(73.17kr exkl. moms)
91.46kr
Antal i lager : 11
IRG4PC40W

IRG4PC40W

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC40W
N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PC40W
N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
116.35kr moms incl.
(93.08kr exkl. moms)
116.35kr
Antal i lager : 2
IRG4PC50W

IRG4PC50W

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC50W
N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3700pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 55A. Ic(puls): 220A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 46 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.93V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 25. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PC50W
N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3700pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 55A. Ic(puls): 220A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 46 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.93V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 25. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
129.13kr moms incl.
(103.30kr exkl. moms)
129.13kr
Antal i lager : 5
IRG4PC60FP

IRG4PC60FP

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRG4PC60FP
N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 6050pF. Kanaltyp: N. Funktion: "Fast Speed ​​​​IGBT". Kollektorström: 90A. Ic(puls): 360A. Pd (effektförlust, max): 520W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Td(på): 42 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Kostnad): 360pF. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PC60FP
N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 6050pF. Kanaltyp: N. Funktion: "Fast Speed ​​​​IGBT". Kollektorström: 90A. Ic(puls): 360A. Pd (effektförlust, max): 520W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Td(på): 42 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Kostnad): 360pF. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
157.46kr moms incl.
(125.97kr exkl. moms)
157.46kr
Antal i lager : 35
IRG4PH40U

IRG4PH40U

N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-2...
IRG4PH40U
N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 82A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PH40U
N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 82A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
88.35kr moms incl.
(70.68kr exkl. moms)
88.35kr
Antal i lager : 32
IRG4PH50K

IRG4PH50K

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-2...
IRG4PH50K
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PH50K
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
116.74kr moms incl.
(93.39kr exkl. moms)
116.74kr
Antal i lager : 12
IRG4PH50KD

IRG4PH50KD

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-2...
IRG4PH50KD
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1220V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 90 ns. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRG4PH50KD
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1220V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 90 ns. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
235.01kr moms incl.
(188.01kr exkl. moms)
235.01kr
Antal i lager : 36
IRG4PH50U

IRG4PH50U

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-2...
IRG4PH50U
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: IRG4PH50U. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.56V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(tum): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRG4PH50U
N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: IRG4PH50U. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.56V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(tum): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
124.64kr moms incl.
(99.71kr exkl. moms)
124.64kr
Antal i lager : 48
IRGB15B60KD

IRGB15B60KD

N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt ...
IRGB15B60KD
N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 92 ns. Kollektorström: 31A. Ic(puls): 62A. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 184 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRGB15B60KD
N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 92 ns. Kollektorström: 31A. Ic(puls): 62A. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 184 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
91.74kr moms incl.
(73.39kr exkl. moms)
91.74kr
Antal i lager : 24
IRGP4068D

IRGP4068D

N-kanals transistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRGP4068D
N-kanals transistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
IRGP4068D
N-kanals transistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
157.23kr moms incl.
(125.78kr exkl. moms)
157.23kr
Antal i lager : 31
IRGP4086

IRGP4086

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (...
IRGP4086
N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 250A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+140°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.29V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.57V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
IRGP4086
N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 250A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+140°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.29V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.57V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
93.74kr moms incl.
(74.99kr exkl. moms)
93.74kr
Antal i lager : 49
IRL1004S

IRL1004S

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hö...
IRL1004S
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L1004S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
IRL1004S
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L1004S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
Set med 1
48.98kr moms incl.
(39.18kr exkl. moms)
48.98kr
Antal i lager : 82
IRL1404

IRL1404

N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (...
IRL1404
N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 6590pF. Kostnad): 1710pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 640A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRL1404
N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 6590pF. Kostnad): 1710pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 640A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
48.31kr moms incl.
(38.65kr exkl. moms)
48.31kr
Antal i lager : 15
IRL1404PBF

IRL1404PBF

N-kanals transistor, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220AB. Dra...
IRL1404PBF
N-kanals transistor, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 160A. Effekt: 200W
IRL1404PBF
N-kanals transistor, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 160A. Effekt: 200W
Set med 1
37.60kr moms incl.
(30.08kr exkl. moms)
37.60kr
Antal i lager : 119
IRL1404Z

IRL1404Z

N-kanals transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T...
IRL1404Z
N-kanals transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive
IRL1404Z
N-kanals transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive
Set med 1
36.54kr moms incl.
(29.23kr exkl. moms)
36.54kr
Antal i lager : 42
IRL1404ZPBF

IRL1404ZPBF

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 40V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drai...
IRL1404ZPBF
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 40V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL1404ZPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5080pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
IRL1404ZPBF
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 40V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL1404ZPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5080pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
Set med 1
57.15kr moms incl.
(45.72kr exkl. moms)
57.15kr
Antal i lager : 69
IRL1404ZS

IRL1404ZS

N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID ...
IRL1404ZS
N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5080pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS
IRL1404ZS
N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5080pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
45.03kr moms incl.
(36.02kr exkl. moms)
45.03kr
Antal i lager : 54
IRL2203N

IRL2203N

N-kanals transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=...
IRL2203N
N-kanals transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3290pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
IRL2203N
N-kanals transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3290pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
28.05kr moms incl.
(22.44kr exkl. moms)
28.05kr
1...293031 3233...49

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.