N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 53 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 140pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.72V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1900pF. Kostnad): 140pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 6050pF. Kostnad): 360pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: "Fast Speed ​​​​IGBT". Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 360A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 520W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Td(på): 42 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 120pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 82A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1220V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 90 ns. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 3600pF. Kostnad): 160pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: IRG4PH50U. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.56V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 75pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 92 ns. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 31A. Ic(puls): 62A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 184 ns. Td(på): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V

N-kanals transistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -40...+140°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.29V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.57V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L1004S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 6590pF. Kostnad): 1710pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 160A. Effekt: 200W

N-kanals transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 40V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL1404ZPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5080pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5080pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3290pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 30 v, 100A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL2203NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2203NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2203NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. Id(imp): 360A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2505S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3700pF. Kostnad): 630pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. Id(imp): 190A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 20V, 110A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL3502. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 96 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C