Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH40U

N-kanals transistor, 21A,  TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH40U
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 70.68kr 88.35kr
2 - 2 67.14kr 83.93kr
3 - 4 63.61kr 79.51kr
5 - 9 60.07kr 75.09kr
10 - 19 58.66kr 73.33kr
20 - 29 57.25kr 71.56kr
30 - 35 55.13kr 68.91kr
Kvantitet U.P
1 - 1 70.68kr 88.35kr
2 - 2 67.14kr 83.93kr
3 - 4 63.61kr 79.51kr
5 - 9 60.07kr 75.09kr
10 - 19 58.66kr 73.33kr
20 - 29 57.25kr 71.56kr
30 - 35 55.13kr 68.91kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 35
Set med 1

N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH40U. N-kanals transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 82A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 14:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.