Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V - IRL1404ZS

N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V - IRL1404ZS
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 36.02kr 45.03kr
5 - 9 34.22kr 42.78kr
10 - 24 32.41kr 40.51kr
25 - 49 30.61kr 38.26kr
50 - 69 29.89kr 37.36kr
Kvantitet U.P
1 - 4 36.02kr 45.03kr
5 - 9 34.22kr 42.78kr
10 - 24 32.41kr 40.51kr
25 - 49 30.61kr 38.26kr
50 - 69 29.89kr 37.36kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 69
Set med 1

N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V - IRL1404ZS. N-kanals transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5080pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 790A. Pd (effektförlust, max): 230W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 14:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.