Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V - IRG4BC30W

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V - IRG4BC30W
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 55.63kr 69.54kr
5 - 9 52.85kr 66.06kr
10 - 24 50.07kr 62.59kr
25 - 31 47.29kr 59.11kr
Kvantitet U.P
1 - 4 55.63kr 69.54kr
5 - 9 52.85kr 66.06kr
10 - 24 50.07kr 62.59kr
25 - 31 47.29kr 59.11kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 31
Set med 1

N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V - IRG4BC30W. N-kanals transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 14:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.