Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRFR3709Z

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRFR3709Z
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 14.08kr 17.60kr
5 - 9 13.38kr 16.73kr
10 - 24 12.67kr 15.84kr
25 - 49 11.97kr 14.96kr
50 - 84 11.69kr 14.61kr
Kvantitet U.P
1 - 4 14.08kr 17.60kr
5 - 9 13.38kr 16.73kr
10 - 24 12.67kr 15.84kr
25 - 49 11.97kr 14.96kr
50 - 84 11.69kr 14.61kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 84
Set med 1

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRFR3709Z. N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 5.2m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2330pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, ultralåg grindimpedans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.