Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 54.21kr | 67.76kr |
5 - 9 | 51.50kr | 64.38kr |
10 - 24 | 48.79kr | 60.99kr |
25 - 49 | 46.08kr | 57.60kr |
50 - 99 | 44.99kr | 56.24kr |
100 - 127 | 39.03kr | 48.79kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 54.21kr | 67.76kr |
5 - 9 | 51.50kr | 64.38kr |
10 - 24 | 48.79kr | 60.99kr |
25 - 49 | 46.08kr | 57.60kr |
50 - 99 | 44.99kr | 56.24kr |
100 - 127 | 39.03kr | 48.79kr |
N-kanals transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE50. N-kanals transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 3100pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 31A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 21:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.