N-kanals transistor, 600V, 6.2A, 600V, 1.2 Ohms, TO-220 - IRFBC40PBF

N-kanals transistor, 600V, 6.2A, 600V, 1.2 Ohms, TO-220 - IRFBC40PBF. N-kanals transistor, 600V, 6.2A, 600V, 1.2 Ohms, TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Drain-source spänning (Vds): 600V. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Tillverkarens märkning: IRFBC40PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 6.2A. Effekt: 125W. Originalprodukt från tillverkaren Vishay (ir). Antal i lager uppdaterad den 12/06/2025, 13:25.