N-kanals transistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD110

N-kanals transistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD110. N-kanals transistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 81pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 21:25.