Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229

N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 73.38kr 91.73kr
2 - 2 69.71kr 87.14kr
3 - 4 66.04kr 82.55kr
5 - 9 62.37kr 77.96kr
10 - 19 60.90kr 76.13kr
20 - 29 59.44kr 74.30kr
30 - 99 57.23kr 71.54kr
Kvantitet U.P
1 - 1 73.38kr 91.73kr
2 - 2 69.71kr 87.14kr
3 - 4 66.04kr 82.55kr
5 - 9 62.37kr 77.96kr
10 - 19 60.90kr 76.13kr
20 - 29 59.44kr 74.30kr
30 - 99 57.23kr 71.54kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 99
Set med 1

N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229. N-kanals transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 38m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 21:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.