Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 54.03kr | 67.54kr |
5 - 9 | 51.33kr | 64.16kr |
10 - 24 | 49.71kr | 62.14kr |
25 - 49 | 47.55kr | 59.44kr |
50 - 99 | 45.92kr | 57.40kr |
100 - 155 | 41.65kr | 52.06kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 54.03kr | 67.54kr |
5 - 9 | 51.33kr | 64.16kr |
10 - 24 | 49.71kr | 62.14kr |
25 - 49 | 47.55kr | 59.44kr |
50 - 99 | 45.92kr | 57.40kr |
100 - 155 | 41.65kr | 52.06kr |
N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF. N-kanals transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 7670pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4310. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/06/2025, 13:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.