Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 76.44kr | 95.55kr |
2 - 2 | 72.62kr | 90.78kr |
3 - 4 | 70.33kr | 87.91kr |
5 - 9 | 68.80kr | 86.00kr |
10 - 19 | 67.27kr | 84.09kr |
20 - 29 | 64.98kr | 81.23kr |
30 - 78 | 62.68kr | 78.35kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 76.44kr | 95.55kr |
2 - 2 | 72.62kr | 90.78kr |
3 - 4 | 70.33kr | 87.91kr |
5 - 9 | 68.80kr | 86.00kr |
10 - 19 | 67.27kr | 84.09kr |
20 - 29 | 64.98kr | 81.23kr |
30 - 78 | 62.68kr | 78.35kr |
N-kanals transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4115. N-kanals transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0093 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 5270pF. Kostnad): 490pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 86 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 420A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Vikt: 1.99g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 41 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 15/05/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.