N-kanals transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A

N-kanals transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A. N-kanals transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 650V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Pd (effektförlust, max): 167W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 21:25.