N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF

N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF. N-kanals transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 9620pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 370W. RoHS: ja. Vikt: 1.99g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 78 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/06/2025, 12:25.