Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 23.82kr | 29.78kr |
5 - 9 | 22.63kr | 28.29kr |
10 - 24 | 21.44kr | 26.80kr |
25 - 42 | 20.25kr | 25.31kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 23.82kr | 29.78kr |
5 - 9 | 22.63kr | 28.29kr |
10 - 24 | 21.44kr | 26.80kr |
25 - 42 | 20.25kr | 25.31kr |
N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V - IRF840AS. N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1018pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 422 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.