Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 29.97kr | 37.46kr |
5 - 9 | 28.47kr | 35.59kr |
10 - 24 | 27.57kr | 34.46kr |
25 - 49 | 26.97kr | 33.71kr |
50 - 99 | 26.37kr | 32.96kr |
100 - 249 | 25.47kr | 31.84kr |
250+ | 24.57kr | 30.71kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 29.97kr | 37.46kr |
5 - 9 | 28.47kr | 35.59kr |
10 - 24 | 27.57kr | 34.46kr |
25 - 49 | 26.97kr | 33.71kr |
50 - 99 | 26.37kr | 32.96kr |
100 - 249 | 25.47kr | 31.84kr |
250+ | 24.57kr | 30.71kr |
N-kanals transistor, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D. N-kanals transistor, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.082 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 2370pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 124A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB32N20D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/06/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.