Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

N-kanals transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 39.89kr 49.86kr
5 - 9 37.89kr 47.36kr
10 - 24 35.90kr 44.88kr
25 - 49 33.90kr 42.38kr
50 - 99 33.11kr 41.39kr
100 - 249 32.31kr 40.39kr
250+ 31.11kr 38.89kr
Kvantitet U.P
1 - 4 39.89kr 49.86kr
5 - 9 37.89kr 47.36kr
10 - 24 35.90kr 44.88kr
25 - 49 33.90kr 42.38kr
50 - 99 33.11kr 41.39kr
100 - 249 32.31kr 40.39kr
250+ 31.11kr 38.89kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. N-kanals transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4220pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB260N. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.