N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF

N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF. N-kanals transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 4520pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 31 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 11/06/2025, 00:25.