Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710

N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 23.06kr 28.83kr
5 - 9 21.91kr 27.39kr
10 - 24 20.76kr 25.95kr
25 - 49 19.60kr 24.50kr
50 - 99 19.14kr 23.93kr
100 - 161 17.40kr 21.75kr
Kvantitet U.P
1 - 4 23.06kr 28.83kr
5 - 9 21.91kr 27.39kr
10 - 24 20.76kr 25.95kr
25 - 49 19.60kr 24.50kr
50 - 99 19.14kr 23.93kr
100 - 161 17.40kr 21.75kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 161
Set med 1

N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710. N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 23m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3230pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.