Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 23.06kr | 28.83kr |
5 - 9 | 21.91kr | 27.39kr |
10 - 24 | 21.22kr | 26.53kr |
25 - 49 | 20.76kr | 25.95kr |
50 - 99 | 20.30kr | 25.38kr |
100 - 153 | 18.26kr | 22.83kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 23.06kr | 28.83kr |
5 - 9 | 21.91kr | 27.39kr |
10 - 24 | 21.22kr | 26.53kr |
25 - 49 | 20.76kr | 25.95kr |
50 - 99 | 20.30kr | 25.38kr |
100 - 153 | 18.26kr | 22.83kr |
N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710. N-kanals transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 23m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3230pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.