Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510

N-kanals transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 11.52kr 14.40kr
5 - 9 10.94kr 13.68kr
10 - 24 10.37kr 12.96kr
25 - 49 9.79kr 12.24kr
50 - 99 9.56kr 11.95kr
100 - 177 9.33kr 11.66kr
Kvantitet U.P
1 - 4 11.52kr 14.40kr
5 - 9 10.94kr 13.68kr
10 - 24 10.37kr 12.96kr
25 - 49 9.79kr 12.24kr
50 - 99 9.56kr 11.95kr
100 - 177 9.33kr 11.66kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 177
Set med 1

N-kanals transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510. N-kanals transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 180pF. Kostnad): 81pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.