N-kanals transistor, TO-220AB, 100V, 9.7A, 100V, 0.20 Ohms - IRF520NPBF

N-kanals transistor, TO-220AB, 100V, 9.7A, 100V, 0.20 Ohms - IRF520NPBF. N-kanals transistor, TO-220AB, 100V, 9.7A, 100V, 0.20 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Tillverkarens märkning: IRF520NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 9.7A. Effekt: 48W. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 21:25.